Technik: SiGe:C rauschärmer als GaAs (Allgemein)

H. Lamarr , München, Montag, 12.02.2007, 21:59 (vor 6731 Tagen)

Als weltweit erster Halbleiterhersteller liefert Infineon Technologies Silizium-basierte rauscharme Verstärker (Low-Noise-Amplifier, LNA), die ein besseres Preis-Leistungsverhältnis als vergleichbare teurere Gallium-Arsenid (GaAs)-Produkte aufweisen und mit denen Mobiltelefonhersteller die 3GPP-Anforderungen erfüllen. Die neuen LNAs kombinieren Infineons unternehmenseigenen Silizium-Germanium-Kohlenstoff (SiGe:C)-Prozess mit einem niederohmigen Massekontakt. Das Ergebnis sind LNAs mit den derzeit besten Rauschwerten.

Eine der größten Herausforderungen bei der Entwicklung von Hochfrequenz (HF)-Schaltungen für drahtlose Produkte ist die Optimierung von Empfindlichkeit, Netzwerkabdeckung und Datendurchsatz. Diese Parameter werden ganz wesentlich vom Rauschverhalten des Empfängers bestimmt. Wegen der bisherigen Performance-Limitierungen von Silizium-Komponenten mussten Entwickler von HF- oder Mikrowellen-Systemen meist teurere GaAs-LNAs einsetzen. Infineon ist der erste Halbleiterhersteller, dessen Silizium-basierte LNAs leistungsfähiger als GaAs-LNAs sind. Darüber hinaus ist Infineons SiGe:C-Prozess stromsparender und andere Chipfunktionen lassen sich mit diesem Prozess einfach integrieren.

Quelle: Infineon liefert erste Silizium-basierte rauscharme Verstärker mit besserer Empfindlichkeit als GaAs-Produkte für UMTS/HSxPA- und WLAN-Anwendungen

Kommentar: Empfindlichere Funkempfänger in Handys sind auch ein Weg, die Funkfeldbelastung bei Anrainern von Mobilfunk-Basisstationen zu reduzieren.

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